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Conception d'un préamplificateur en technologie BiCMOS réf: 082T2019SI

Description

Dans un contexte de compétitivité et de réduction des couts des équipements Télécoms, la technologie SiGe BiCMOS présente de nombreux avantages. Les technologies silicium ont une capacité d’intégration plus forte que les technologies AsGa traditionnelles tout en maintenant globalement les performances RF des puces hormis le facteur de bruit. Cette technologie permettrait aussi de mieux répondre aux besoins induits par le développement des super-constellations. Dans ce contexte global, la technologie silicium présente un fort intérêt en aval de l'amplification très faible bruit des sections d’entrée des charges utiles des satellites de télécoms et en interface avec le traitement numérique des signaux. Le sujet de stage concerne la conception d'un préamplificateur.

Le sujet du stage concerne la conception d’un amplificateur faible bruit MMIC intégré en technologie SiGe BiCMOS. Afin d’exploiter au maximum la technologie BiCMOS, une étude sera conduite pour comparer les performances des transistors CMOS et des transistors bipolaires. Les critères d’évaluation déterminants seront : le facteur de bruit, la consommation, le niveau de gain, la linéarité. Une comparaison avec les performances des technologies AsGa sera réalisée. Suite à cette étude et aux résultats obtenus, le stagiaire choisira la meilleure technologie et concevra un préamplificateur jusqu’à la réalisation du masque. Le stagiaire utilisera pour cela les moyens de simulations disponibles au sein du laboratoire hyperfréquences.

Profil

BAC + 4 ou 5
Etudiant en dernière année d’Ecoles d’ingénieur ou d’université, ou MASTER universités

Description de la structure

Non renseigné

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