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Caractérisation d'un faisceau laser pour la simulation de l'effet des ions lourds sur les composants microélectroniques réf: 095T2019SI

Description

Depuis quelques années le CNES utilise un laser pulsé pour tester le comportement des composants microélectroniques face aux rayonnements ionisants en compléments des campagnes d'essais pouvant être menée sous faisceau d'ions. Le banc de test servant à ces essais nécessite de connaitre précisément les caractéristiques du laser utilisé en terme d'énergie, de durée d'impulsion et de taille de faisceau afin corréler les résultats avec les simulations.

Les objectifs du stage sont de :

- Prendre en main le banc laser afin d'acquérir une autonomie dans son utilisation,
- Mettre en œuvre des techniques de caractérisation du faisceau laser (durée d'impulsion, taille de spot, énergie, ...). Les différentes méthodes de caractérisation pourront soit déjà être définies en début de stage, soit venir d'une initiative du stagiaire à la suite d'une recherche bibliographique,
- Caractériser le comportement de composants microélectroniques avec le banc laser. Le stagiaire devra alors mettre en œuvre un composant sur une carte de test qu'il aura développée ou déjà existante dans le laboratoire pour tester le banc.
- Le stagiaire pourra éventuellement également s'exercer aux techniques d'ouvertures de composants nécessaires à la réalisation des essais.

Profil

BAC + 5 ( Master 2 ou dernière année d'école ingénieur)
Etudiant en dernière année d’Ecoles d’ingénieur ou d’université, ou MASTER dans le domaine de l'optique et/ou la physique. Des connaissances en instrumentation et en électronique seront un plus, ainsi que l'autonomie et la prise d'initiative.

Description de la structure

Non renseigné

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